高真空磁控溅射离子镀膜设备

一、 设备主要功能及组成
1. 设备主要由高真空获得与测量系统、样品台或工件转架系统、磁控靶或多弧源系统、辅助镀膜工艺系统及电气控制系统等五部分组成。
2. 高真空机组采用分子泵机组或离子泵机组。
3. 样品台或工件转架系统可根据工艺需要灵活定制所需功能。
4. 多种磁控靶及多弧源可选，全部模块化设计，标准接口法兰。
5. 辅助镀膜工艺系统可根据需要灵活搭配。
6. 可选配膜厚控制仪，进行在线测量和监控。
7. 电气控制系统具有多种报警功能，能及时提示故障情况，保障设备安全运行。

二、 主要技术参数
1． 真空室尺寸：Ø450、Ø540、Ø650、Ø750、Ø1000、Ø1200（定制）
2． 极限真空度：≤6.7×10-5Pa（分子泵机组）/ ≤5.0×10-6Pa（离子泵机组）
3． 漏率：≤10-7 Pa•L/s
4． 可选磁控靶：1.5英寸~3英寸圆形靶 / 矩形单靶、中频孪生靶 / 非标磁控靶
5． 磁控靶电源：直流源 / 13.56MHz射频源 / 中频源
6． 可选多弧靶（小弧源）：Arc60 / Arc100 / 非标
7． 辅助镀膜装备：霍尔离子源、线性阳极层离子源、辉光清洗靶
8． 可选偏压电源：-200V偏压电源
9． 样品台：可在线升降、旋转、水冷、衬底加热
10． 工件转架：三轴联动（公转、自转、单样品自转），增强镀膜均匀性，可加热
11． 可选配工艺系统：手套箱工作站、样品预处理室、自动样品库等
12． 供电电源：380V 50Hz（三相五线制）
13． 进水排管径：DN25
14． 工作水压：0.2Mpa